Elektronenmikroskopielabor

Die Kernkompetenz des Elektronenmikroskopielabors liegt in der Untersuchung von Werkstoff- und Bruchoberflächen mittels hochauflösenden rasterelektronenmikroskopischen Methoden. Zur Zielpräparation und lokalen 3D-Gefügetomographie steht ein Focussed Ion Beam System zur Verfügung.

Unsere Schwerpunkte sind:

  • REM-Charakterisierung von Oberflächen, Bruchflächen und Schliffen
  • Lokale Cross-Section-Erstellung mittels REM-FIB und Analyse im hochauflösenden REM
  • Werkstoffuntersuchungen bis hin zur 3D-Gefügetomographie mit Hilfe der REM-FIB Technologie
  • Zielpräparation von TEM-Dünnfolien oder Atomsondenspitzen für weiterführende hochauflösende Untersuchungen
  • Verformungslose Cross-Section- und Flächenpräparation mittels Ionenslicer
  • Werkstoffcharakterisierung mit Bezug zu Schädigungen.

 

Das Angebot des Rasterelektronenmikroskopielabors reicht von raschen Standardanalysen bis hin zu aufwendigen, hochauflösenden Untersuchungen unter Einbeziehung der modernsten derzeit zur Verfügung stehenden Analysesysteme im Bereich der Dual-Beam-Rasterelektronenmikroskopie.

Unser Leistungsangebot

  • Werkstoffcharakterisierung mittels Rasterelektronenmikroskopie (REM) (z.B. Gefügebeurteilung, Phasenzusammensetzung)
  • 3D-Charakterisierung von Bauteiloberflächen und Bruchflächen inkl. lokaler Ermittlung der chemischen Zusammensetzung und Schädigung
  • 3D-Gefügetomographie basierend auf Kornorientierung oder chemischer Zusammensetzung
  • Zielpräparation von Atomsondenspitzen aus beliebigen Bereichen von Proben (Bulkmaterialien und dünne Schichten) zur weiteren Analyse bei unseren Forschungspartnern
  • Zielpräparation von Dünnfolien für die Transimissionselektronenmikroskopie (TEM)
  • Herstellung von Mikroproben für mechanische in-situ-Versuche mit verschiedenen Geometrien (z.B. Quader, Zylinder oder Mikrozugproben und Biegebalken); in-situ-Versuche in Kooperation mit unseren Forschungspartnern
  • Einbringung kleiner rissähnlicher Defekte (im Sub-Mikrometer- bis Mikrometer-Bereich) zum Studium des Verhaltens kurzer Risse

 

 

Unsere Anlagenausstattung

Dual-Beam Rasterelektronenmikroskop mit fokussiertem Ionenstrahl (Focused Ion Beam) der Firma Zeiss (AURIGA®-CrossBeam® Workstation):

  • Hochauflösendes Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop mit diversen Detektoren (Sekundärelektronen-, Rückstreuelektronen-, STEM-, Sekundärionen-, InLens- und EBSD-Detektor)
  • Focussed Ion Beam (Cobra-Orsay-Physics)
  • Gasinjektionssystem für Bedampfung/Bearbeitung mit unterschiedlichen Substanzen (Graphit, Platin, Jod, Wasserdampf) und Ladungskompensation zur Analyse von nichtleitenden Proben
  • Energiedispersives Röntgenanalysesystem (EDX)

Rasterelektronenmikroskop mit großer Probenkammer der Firma Zeiss (EVO MA 25®):

  • Rasterelektronenmikroskop mit LaB6-Kathode und Niederdruckmodus (u.a. gut geeignet für die Analyse von nicht leitenden und verunreinigten (z.B. ölbehafteten Proben)
  • Große Probenkammer für die Untersuchung von Bauteilen und großen Proben: Probengewicht mit voller Kippmöglichkeit bis 2,5 kg, Probenhöhe bis ~ 100 mm; Probengewicht ohne Kippen > 5 bis ~ 10 kg (bei max. Höhe bis ~ 210 mm)
  • Sekundär- und 5-Quadranten-Rückstreuelektronendetektor
  • Energiedispersives Röntgenanalysesystem (EDX)
  • 3D-Oberflächentopographie-Software der Firma Alicona (MeX)