Lisa Mitterhuber and Elke Kraker were at the YESvGaN - Wide bandgap power at silicon cost general meeting in Aix-en-Provence, France. There they discussed the current project results intensively and planned the next steps together with their partners.
The YESvGaN consortium combines the experience and competence of 23 industrial and research partners (including MCL) from 7 European countries. Their goal is to develop a new class of vertical GaN power transistors which combines the performance benefits of vertical Wide Band Gap (WBG) transistors with the cost advantages of established silicon technology.
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YESvGaN General Meeting in Aix-en-Provence
Lisa Mitterhuber und Elke Kraker waren bei der YESvGaN - Wide bandgap power at silicon cost-Hauptversammlung in Aix-en-Provence, Frankreich. Dort sprachen sie intensiv über die aktuellen Projektergebnisse und planten gemeinsam mit ihren Partnern die nächsten Schritte.
Das YESvGaN-Konsortium kombiniert die Erfahrung und Kompetenz von 23 Industrie- und Forschungspartnern (auch das MCL) aus 7 europäischen Ländern. Das Ziel ist es, eine neue Klasse von vertikalen GaN-Leistungstransistoren zu entwickeln, die die Leistungsvorteile von vertikalen Wide Band Gap (WBG) Transistoren und die Preisvorteile der etablierten Siliziumtechnologie vereinen.
